Fujitsu анонсировала память FRAM для автомобильной электроники

Компания Fujitsu представила новую микросхему памяти FRAM, ориентированную на использование в автомобильной электронике. Данный модуль является энергонезависимым сегнетоэлектрическим с произвольным доступом, но такое сложное описание запоминать вовсе не нужно — FRAM, и все.

Новая память от Fujitsu имеет плотность 256 Кбит и может работать при температуре от -40 до +150 градусов Цельсия, а это очень важно при использовании в автомобиле, ведь транспортные средства часто испытывают на себе влияние достаточно экстремальных температур. Как сообщается, память FRAM легко может проработать в течение 10 лет при постоянной температуре +85 градусов. Новый модуль характеризуется не только повышенной надежностью, но также высокой скоростью доступа и большим количеством циклов перезаписи — 1013, если быть точным.



FRAM пригодится в мониторинге данных в автомобилях и оснащается интерфейсом SPI, потребляя от 1,8 до 3,8 вольта во время своей работы. В настоящее время FRAM проходит сертификацию, которая будет завершена летом текущего года, но пока неизвестно, когда именно она станет частью серийно выпускаемых автомобилей. Чип ориентирован на современные средства передвижения, способные ездить самостоятельно и обмениваться данными с себе подобными.

4 Февраля, 2017

Комментарии

Источник: MobileDevice.ru

Ваш комментарий к новости:
Комментарии публикуются после проверки администратором. При добавлении отрицательного комментария читайте соглашение об использовании. Мы не публикуем: сообщения, не относящиеся к новости: "Fujitsu анонсировала память FRAM для автомобильной электроники ".
Ваше имя:		E-mail:
Оценка:	нет 1 2 3 4 5
*Cообщение (30-1000 зн.):

* * *

Еще новости