Hynix представляет самые быстрые модули оперативной памяти для мобильников

Компания Hynix Semiconductor разработала самые быстрые на сегодняшний день 185-мегагерцовые модули Mobile DDR SDRAM с поддержкой ECC (Error Correction Code – код коррекции ошибок). Ёмкость их составляет 512 Мбит, а энергопотребление почти на 50% меньше, чем в аналогичных чипах. Пропускная способность этих модулей памяти достигает 1,5 Гб/сек. Использовать новинки планируется в мобильных терминалах, к примеру, в тех же сотовых телефонах.

Вице-президент «мобильного» подразделения Hynix г-н Ким Йонг Тарк (Kim Yong Tark) говорит по этому поводу следующее: «Карманным электронным устройствам, таким как мобильные телефоны, требуется компоненты памяти со все большей плотностью записи, а уровень энергопотребления современных чипов Mobile DRAM, по мнению OEM-производителей, уже достигает критического уровня. [Новые] мобильные модули DDR-памяти Hynix с поддержкой ECC отвечают современным требованиям системотехники по таким показателям, как плотность записи, целостность данных и очень низкое энергопотребление, увеличивающее время работы от батарей». Массовое производство новинок должно начаться во второй половине этого года, а первые поставки производителям для ознакомления стартуют уже в начале третьего квартала.

17 Марта, 2007

Комментарии

Источник: MobileDevice.ru

Ваш комментарий к новости:
Комментарии публикуются после проверки администратором. При добавлении отрицательного комментария читайте соглашение об использовании. Мы не публикуем: сообщения, не относящиеся к новости: "Hynix представляет самые быстрые модули оперативной памяти для мобильников".
Ваше имя:		E-mail:
Оценка:	нет 1 2 3 4 5
*Cообщение (30-1000 зн.):

* * *

Еще новости