Samsung обгоняет конкурентов в выпуске псевдостатической памяти

Компании Samsung Electronics удалось опередить всех конкурентов в разработке и выпуске модуля «UtRAM», ставшего первым в мире модулем псевдостатической оперативной памяти ёмкостью 256 мегабайт. До сегодняшнего дня существующие подобные микросхемы работали на частоте 80 МГц, но Samsung удалось улучшить этот показатель до 133 МГц, то есть примерно в 1,7 раза.

Новые модули памяти планируется использовать в новейших мобильных устройствах – например, в абонентских терминалах сетей 3G. Проще говоря – в мобильных телефонах нового поколения. В новом чипе памяти используются 90-нм техпроцесс. Отгрузка пробных экспериментальных партий новейших микросхем памяти производителям мобильных телефонов в Samsung планируют начать в уже конце сентября, а массовое их производство и отгрузка покупателям начнётся в конце текущего 2005 года.

Псевдостатическая оперативная память (аббревиатура SRAM) – это память с низким энергопотреблением, в которой используются ячейки памяти DRAM (динамической оперативной памяти) вкупе с некоторыми элементами других технологий памяти. В новом модуле фирменном 256 Мб модуле памяти UtRAM используется пакетная передача, характерная для SRAM – эта спецификация была утверждена Объединенным инженерным советом по электронным устройствам (JEDEC) –организацией, базирующейся в Америке и занимающейся вопросами стандартизации и внедрения новых технологий.

10 Сентября, 2005

Комментарии

Источник: MobileDevice.ru

Ваш комментарий к новости:
Комментарии публикуются после проверки администратором. При добавлении отрицательного комментария читайте соглашение об использовании. Мы не публикуем: сообщения, не относящиеся к новости: "Samsung обгоняет конкурентов в выпуске псевдостатической памяти".
Ваше имя:		E-mail:
Оценка:	нет 1 2 3 4 5
*Cообщение (30-1000 зн.):

* * *

Еще новости